IDT推出DDR3内存模块的低电压缓存器

    提供关键混合讯号(mixed signal)半导体组件以丰富数字媒体功能与使用经验的领先半导体解决方案供货商IDT (Integrated Device Technology, Inc. ; NASDAQ: IDTI)，宣布推出业界第一个能够为高效能服务器和工作站提供标准与低电压作业支持的暂存时脉驱动器(registered clock driver)，以延伸其在Double Data Rate 3 (DDR3)内存接口组件的领导地位。IDT DDR3缓存器的设计目的是为了协助降低服务器丛集和资料中心的功耗与散热成本。它采用一种新的低功耗架构，相较于标准电压缓存器，当搭配低电压电源供应器时，可减少近50%缓存器功耗。

    Micron企业行销总监Rahul Advani表示：「功耗是计算机产业的一个核心关键，Micron很高兴见到IDT积极研发，降低DDR3缓存器的功耗和电压。我们积极投入降低数据中心服务器内存的功耗，并已于近期拓展我们Aspen Memory™产品线，来包括以DDR3为基础的模块技术。我们DDR3模块的内存设计，提供业界领先的能源效率，并采用1.35伏特电压作业，比标准1.5伏特DDR3内存模块节省21%功耗。」

    IDT 的SSTE32882HL组件符合美国电子工程设计发展联合协会（Joint Electron Device Engineering Council; JEDEC）标准，并整合了缓存器与锁相回路(PLL)的设计，以支持DDR3暂存双线内存模块(RDIMM)。该组件支持业界最广范围的作业时脉速率，从DDR3-800到DDR3-1600，涵盖标准和低电压作业条件，并且超越时脉动态偏移、时脉抖动与整备时间（setup time）的核心需求。再者，该组件包含扩充的内建测试和除错能力，让设计、测试与除错新RDIMM模块变得容易许多。

    IDT副总裁暨内存接口部门总经理Sean Fan表示：「IDT低电压DDR3缓存器为客户提供的降低功耗，对于一个典型的服务器丛集而言，将能够在其生命周期内实现数千美元的节省效益。此外，IDT协助客户实现此一难以置信的节能目标，而不会牺牲效能或作业速度。」