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据市调机构DRAMeXchange指出,由于中国农历年前备货需求暂告一段落,上周(1/21-1/28)现货市场开始趋于平稳,以周均价来看,DDR2 512Mb eTT与DDR2 1Gb eTT现货价仅微跌1%,分别守在约1.1美元与2.2美元附近;而品牌颗粒与eTT颗粒间的价差也缩小,显示市场激情虽歇,但对于未来价格趋势仍表现出乐观的态度,尤其DRAM厂普遍认为DRAM价格将于第一季落底,并有机会在季末三月反弹,也使得市场人士普遍乐观以待。

根据统计,一月份现货市场DDR2 512Mb eTT的最高价与最低价分别为1.17美元与0.84美元,而DDR2 1Gb eTT则是2.33美元与1.72美元,分别上涨了39.3%与35.5%。另一方面,一月份DDR2 512Mb eTT及DDR2 1Gb eTT的均价为0.96美元及1.94美元,与十二月的均价0.83美元及1.75美元相比,也有15.7%与10.9%的涨幅。除此之外,台系晶圆厂的岁修,加上DRAM价格落底讯号出现,皆为带动现货价格上涨的主因。
在合约市场方面,二月上旬的合约价仍在洽谈中,由于目前现货价格高出合约价格约20%以上,所以部份DRAM厂有计划调高现货市场出货比例,一方面是因为在现货市场获利较高,另外一方面则可以降低合约市场供应,进一步拉抬合约价,而此举对未来现货、合约市场的影响仍有待观察。
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