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近来泛尔必达(Elpida)集团真的称得上是非省油的灯,旗下瑞晶在短短不到一年时间内,就再创造出另一个茂德的产出,扩产速度之快令人叹为观止,而瑞晶快速增加产能,在于降低制造成本,不过这样一来对于2008年全球DRAM市场恐将是一颗不定时炸弹。
近来全球DRAM大厂均未有降低产能动作,除了在先进工艺技术上不断前进外,在产能的扩充上更是马不停蹄,其中泛尔必达集团更是积极扩充产能,除了尔必达位于广岛12英寸厂产能持续拉高外,位于台湾的子公司瑞晶同样也是快马加鞭的扩充旗下R1厂产能。
据了解,瑞晶扩充产能速度之快着实令人咋舌,自2007年第3季度起开始正式进入量产,而真正放量生产的要算是2007年第4季度,且R1扩充产能也未因DRAM市场转趋保守而有所停歇,毕竟在机器设备均已搬进情况下,能够让R1发挥最佳效率的方式,便是加速让产能达到满载状态,而估计满载时间点大约落在2008年第2季度左右,也就是说从量产到满载时间,短短花费不到1年时间。
而这样的产能与茂德的产能相较几乎差不多,茂德量产标准型DRAM产能,仅有中科的Fab 3厂及Fab 4厂量产标准型DRAM,至于新竹的Fab 2与Fab 1厂均未再投产标准型DRAM,由于茂德至今仍采用70纳米工艺技术投产512Mb的DDR2,产能与瑞晶几乎一样。
瑞晶光是R1晶圆厂的产能到2008年第2季度就将达到7万片左右,与茂德2座中科厂加起来差不多,但重点是R1厂全数采用70纳米工艺,但投产的产品却是1Gb颗粒的DDR2,如就512Mb的DDR2颗粒换算下来,瑞晶的R1厂已可等于茂德全数投产标准型DRAM产能。
光R1厂产能至2008年就已经等于多出1座茂德标准型DRAM产能来看,未来对于整体DRAM市场的供需平衡关系恐将投入另一变量。
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