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我要投稿 日本TDK 公司今天宣布开发出 GBDriver RA8 系列 NAND 闪存控制器 LSI，该产品计划于九月份开始销售。
GBDriver RA8 系列是用于 U.DMA6 的高速 NAND 控制器 IC，与 2 K 字节/页和 4 K 字节/页的 NAND 闪存兼容。该控制器支持单级单元 (SLC) 和多级单元 (MLC) NAND 闪存，实现了从 128 M 字节到 16 G 字节 (SLC) 和 256 M 字节到 32 G 字节 (MLC) 的高速闪存存储容量，因而该控制器适用的应用领域非常广泛。此外，该控制器具有 128 针 TQPF 封装方式和 121 针 VFBGA 封装方式。
该控制器实现了高速控制、采用 15 位纠错码 (ECC)、GBDriver 系列共有的自动恢复功能以及断电时的并行错误预防功能，这些设计提高了 NAND 闪存的数据可靠性。
