三星发布32Gb闪存 未來采用40nm工艺

    三星电子（Samsung Electronics）宣布最新研发成果，发表NAND型闪存（Flash）容量倍增的32Gb产品，未来并将导入40奈米制程技术打造该产品，以及最新内存PRAM，宣称储存速度更上一层楼。

    身为全球NAND型Flash最大供货商的三星，自1999年起便极力研发扩大产品容量，使NAND型Flash容量得以每年倍增的速度增加，三星半导体事业群总裁黄昌圭日前向外界展示32Gb NAND型Flash，容量即较上一款16Gb倍增；三星在2005年10月曾宣布采用50奈米制程技术推出16Gb的NAND型Flash。

    除此之外，三星并且发表最新非挥发性内存PRAM，并且向外界展示512Mb的PRAM原型，该产品主要应用在数字装置储存数据速度更快，储存速度约为传统Flash的30倍，估计将于2008年问世。

　图说：三星半导体事业群总裁黄昌圭日前向外界展示32Gb NAND型Flash。（彭博信息）