三星让32GB、64GB CF存储卡梦想成真

    前不久刚刚有消息说8GB以及16GB的SD存储卡被开发出来，日前Samsung就拿出了40nm制程的NAND闪存芯片来吓大家，为未来32GB甚至是64GB CF（compact flash ）存储卡铺路。

    根据Samsung的新闻稿中，新的芯片利用了Charge Trap Flash结构技术，大大减低了数据单元间的干扰。而这下也就又让大家想到了闪存的摩尔定律该怎样去定义的问题，Samsung倒是这样告诉大家：“40奈米制程的技术、32GB的NAND快闪芯片的出现，代表着一个新的诠释，也就是每十二个月，第七代的 NAND芯片的单位容量（密度）就可以有两倍的提升，这也是三星半体事业总裁黄昌圭博士（Dr. Chang Gyu Hwang）在2002年的尖端半导体电路技术国际会议（ISSCC 2002）演说所提及的。”

    照这样算下去的话，大概一年内笔记本电脑就可以采用闪存来取代硬盘了吧！